MEMS－on－LTCC技術を用いた小型チューナブルフィルタ

摘要

本論文はK（18～26GHz），Ku（12～18GHz），S（2～4GHz）バンドのMEMSチューナブルフィルタの開発成果について報告する．開発した各バンドのフィルタは世界最小のサイズとトップクラスの挿入損を実現している．これらのチューナブルフィルタはMEMSバラクタと一体化したマイクロストリップ共振器からなるフィルタ構造を採用し，高誘電率LTCC配線ウェーハ表面上に直接形成した．K，Kuバンドのフィルタには比誘電率20のLTCC基板材料を，Sバンドのフィルタには比誘電率50のLTCC基板材料をそれぞれ適用した．製造技術としてはMEMS-on-LTCC技術を新たに開発し，高誘電率LTCC配線基板の大口径ウェーハ化とLTCCウェーハ表面へのMEMS構造の直接形成に成功した．また，抵抗ビアをLTCC基板に内蔵する技術も開発し，抵抗ビアによる高周波信号の漏えい遮断効果を検証した．SバンドのMEMSチューナブルフィルタを用いてRF信号に対する耐電力試験を行い，携帯電話の電力レベルに対して十分な線形性を有することを確認した．