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机译:通过减少背栅偏置效应实现高电阻负载SOI SRAM单元的低压工作
ULSI Laboratory, Mitsubishi Electric Corporation, Itami-shi, 664 Japan;
SOI; SIMOX; SRAM; low-voltage operation; back-gate bias effect;
机译:采用SOI技术的温度敏感型低压8T SRAM的高温操作设计(25%C–300%C)
机译:单端,坚固的8T SRAM单元,用于低压操作
机译:低压运行中SRAM单元稳定性的新分析模型
机译:高电阻负载静态存储单元的SOI / MOSFET的工作模式选择
机译:东南亚(泰国,老挝,越南,菲律宾,马来西亚)IBSRAM坡地管理站点的土壤微观结构和土壤可湿性。
机译:低压非易失性复合半导体存储单元的室温操作
机译:具有32nm SOI CMOS中的用于低压操作的64 kB差分单端口12T SRAM设计,用于低压操作