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机译:使用AlGaAs / InGaAs拟态HEMT的超低噪声50 GHz频带放大器MMIC
Optoelectronic and Microwave Devices Laboratory, Mitsubishi Electric Corporation, Itami-shi, 664 Japan;
millimeter-wave; low noise figure; MMIC; AlGaAs/InGaAs Pseudomorphic HEMT; modeling;
机译:高性能W波段低噪声InGaAs HEMT MMIC放大器
机译:具有宽头T形栅极的AlGaAs / InGaAs / GaAs伪晶HEMT的超低噪声特性
机译:使用Nanogate InGaAs / InAlAs HEMT技术的电子带低噪声放大器MMIC
机译:W波段单片低噪声AlGaAs / InGaAs拟态HEMT放大器,安装在带有波导接口的小型密封封装中
机译:AlGaAs / InGaAs伪晶高电子迁移率晶体管的击穿行为和优化。
机译:使用液相沉积的TiO2作为栅介质的AlGaAs / InGaAs PHEMT的亚阈值特性和闪烁噪声降低
机译:使用120 nm变形HEMT和共面波导的高增益110 GHz低噪声放大器MMIC
机译:0.1um Inp HEmT器件和用于从x波段到W波段的低温低噪声放大器的mmIC