机译:漏电流和浮栅电容器匹配测试
Texas Instruments, P.O. Box 655012, MS 364, Dallas, Texas 75265, USA;
capacitor; characterization; floating gate; leakage; matching;
机译:在亚微米CMOS和BICMOS技术中使用伪浮栅测试结构进行电容器精确匹配测量的新表征方法
机译:通过直接和浮栅技术测量从非易失性浮动薄隧道氧化物存储器件中的超低水平陷阱辅助泄漏电流提取的缺陷的空间和能量分布
机译:具有原子层沉积ZrO_2栅氧化物的In_(0.53)Ga_(0.47)As基金属氧化物半导体电容器证明了低栅漏电流和等效氧化物厚度小于1 nm
机译:栅极氧化物泄漏和浮动栅极电容器匹配测试
机译:NMOS低压差稳压器,带有开关式浮动电容器栅极过驱动。
机译:泄漏电流非均匀性和随机电报信号在CMOS图像传感器浮动扩散中用于贴上像素的电荷存储器
机译:在亚微米CMOS和BICMOS技术中使用伪浮栅测试结构进行电容器精确匹配测量的新表征方法
机译:自对准aLD alOx T栅极绝缘体,用于siNx钝化alGaN / GaN HEmT中的栅极漏电流抑制