机译:氢等离子体处理的In_(0.5)Ga_(0.5)As量子点红外光电探测器的增强特性
R&D Center, Samsung Electronics Co.,Ltd., Yongin-City, 449-711, Korea;
quantum dot infrared photodetector; hydrogen passivation;
机译:氢等离子体处理In {sub} 0.5Ga {sub} 0.5As量子点红外光电探测器的增强特性
机译:氢等离子体处理In {sub} 0.5Ga {sub} 0.5As量子点红外光电探测器的增强特性
机译:具有单面Al_(0.3)Ga_(0.7)As层的光伏In_(0.5)Ga_(0.5)As / GaAs量子点红外光电探测器
机译:结合In_(0.21)Al_(0.21)Ga_(0.58)As / GaAs封顶的In_(0.5)Ga_(0.5)As量子点红外光电探测器中载流子限制和暗电流最小化的研究
机译:镉硒/镉0.5锌0.5硫核/壳胶体量子点的光致发光光谱。
机译:发射近红外光的CdTe0.5Se0.5 / Cd0.5Zn0.5S量子点:合成和明亮的发光
机译:$ Ga_ {0.5} In_ {0.5} p $中的相敏参数相互作用 光子晶体波导