AlGaNのMOVPE成長における基板の反り制御

摘要

面内均一性に優れたデバイスを作製するためには，成長時における基板の反りの低減が必要である。本研究では，MOVPE法により異なる基板上にAlGaN成長を行い，成長時における基板の反りのその場観察を行った。AlGaN成長中の基板の曲率は，GaNテンプレート基板とサファイア基板では増加し，基板の反りが大きくなったのに対して、AlNテンプレート基板では曲率が減少し，基板の反りが小さくなった。AlGaNよりも格子定数が大きいAlNテンプレート基板を用いることで、発光層の成長時に基板の反りがないデバイス形成が実現できる可能性がある。%To achieve a devise superior in uniformity in plane, reduction technique of wafer bowing during growth is necessary. In this work, AlGaN was grown by MOVPE on different substrate, and in situ measurement of substrate curvature during growth. During AlGaN growth on GaN template and sapphire the substrate curvature increased, as a result wafer curve was large. While during growth on AlN template curvature decreased, and wafer curve was small. From this result, there is a possibility to be able to devices that is no wafer curve during growth of active layer by using A1N template which is larger lattice constant than AlGaN