分割円筒空洞共振器によるPZT厚膜の複素誘電率測定における試料挿入部の影響に関する検討

摘要

A 2μm-thick PZT film was fabricated by the chemical solution method on an Al_2O_3 substrate. Next, complex permittivity of these sample materials were measured by the TE_(011) split circular cavity resonator method.rnThe Mode Matching Technique and Perturbation Method were applied to estimate complex permittivity.rnAs a result, it was confirmed that relative permittivity becomes 49 to 55, tan 6 becomes 0.0076 to 0.0082 at 10GHz band, respectively.rnTherefore, we confirmed the validity of past measurement results.%TE_(011)分割円筒空洞共振器法による直径50mm、厚さ0．2mmの鏡面研磨されたアルミナ基板上に化学溶液法により合成した2μm厚のPZT膜の複素誘電率の推定において、共振周波数と誘電体Qの計算に横共振法および摂動法を適用し、モード整合法によるTE波解析での推定結果との比較により就料を挿入する縁端部の影響について評価した結果、PZTの比誘電率およびtan δはアルミナ基板の比誘電率の推定値が影響することを確認した。