次世代半導体デバイス3次元シミュレータの開発（1）: 強安定収束シミュレータの開発

摘要

本稿では次世代半導体デバイス設計に必要なシミュレータの要件を取り上げ、それらを満たすべく我々が開発をしているデバイスシミュレータについて、要件の一つであるアバランシェ増倍機構、GIDL（Gate-Induced Drain Leakage）、Double-gate SOI 構造における強安定収束を中心に、その技術的手法と結果について紹介する。%In listed requirements of device simulator for designing of semiconductor devices in next generation, we focus on one of the requirements and show techniques to get strong-stability on convergence, in addition the results of crucial problems on device simulation, ex. Avalanche breakdown, GIDL (Gate-Induced Drain Leakage), and Double-gate SOI models.