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ビットパターン媒体用1Tbit/in~2級Co-Ptドットアレイの作製

机译:用于位模式媒体的1Tbit / in〜2类Co-Pt点阵列的制造

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摘要

We fabricated Co-Pt magnetic dot arrays using an electron beam writing and a low-energy ion etching in order to prevent from the deterioration of the magnetic properties. By comparing the results of X-ray magnetic circular dichroism measurement and micro magnetic simulation, it was found that the etching using low-energy ions cause little damage on not only the magnetization but also the anisotropy field. These results demonstrate the effectiveness of the etching using low-energy ions for realization of bit-patterned media with an areal density of 1 Tbit/in2. Furthermore, the magnetic isolation between the dots in the magnetic dot array with the dot pitch of 30 nm was confirmed by SEM and MFM observations.%ビットパターン媒体作製に関して,イオンエッチング時に生じる磁気的な加工ダメージを軽減するために,低エネルギーイオンによるエッチングプロセスの有効性を検討した.電子線描画と低エネルギーイオンエシチングを用いてCo-Pt磁性ドットを作製し,磁気特性評価を行った.実験結果とシミュレーション結果の比較から,飽和磁化や垂直磁気異方性の劣化はほとんどないことが明らかになり,1Tbit/in~2のBPMを実現する上で,低エネルギーイオンエッチングが有効であることが示された.さらに,30nmピッチのCo-Pt磁性ドットアレイのSEM観察とMFM観察から,磁性ドットが規則配列し,磁気的に孤立していることを確認した.
机译:为了防止磁性能下降,我们通过电子束写入和低能离子刻蚀制造了Co-Pt磁点阵列。通过比较X射线磁圆二向色性测量结果和微磁模拟结果发现使用低能离子刻蚀不仅对磁化强度和各向异性场几乎没有损害,这些结果证明了使用低能离子刻蚀对实现面密度为1的位图介质的有效性Tbit / in2。总的来说,通过SEM和MFM观察证实了点间距为30 nm的磁点阵列中各点之间的磁隔离。为了实现这一点,研究了低能离子蚀刻工艺的有效性。通过电子束写入和低能离子蚀刻制备了Co-Pt磁性点,并对其磁性进行了评估。从实验结果和模拟结果之间的比较可以看出,饱和磁化强度和垂直磁各向异性几乎不会降低,并且低能离子刻蚀可有效实现1 Tbit / in〜2的BPM。已显示。此外,通过SEM观察和30nm间距的Co-Pt磁点阵列的MFM观察证实,磁点被规则地布置和磁隔离。

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