机译:低于10nm的垂直MOSFET的可扩展性及其机理
Center for Interdisciplinary Research, Tohoku University Aramaki aza Aoba 6-3, Aoba-ku, Sendai 980-8578, Japan;
Center for Interdisciplinary Research, Tohoku University Aramaki aza Aoba 6-3, Aoba-ku, Sendai 980-8578, Japan;
vertical MOSFET; sub-10nm; driving current; cutoff leakage current; current density;
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