On Orthogonal Ray Graphs with Applications to NanoPLA Design

Yohei KOBAYASHI; Anish Man Singh SHRESTHA; Satoshi TAYU; Shuichi UENO

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On Orthogonal Ray Graphs with Applications to NanoPLA Design

机译：正交射线图及其在NanoPLA设计中的应用

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Motivated by defect tolerance schemes for nanotechnology circuits, the orthogonal ray graphs, a new class of intersection graphs, are introduced and investigated.

机译：出于纳米技术电路的缺陷容忍方案的动机，引入并研究了正交射线图，一类新的相交图。

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来源
《電子情報通信学会技術研究報告》 |2008年第527期|p.97-98|共2页
作者
Yohei KOBAYASHI; Anish Man Singh SHRESTHA; Satoshi TAYU; Shuichi UENO;
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作者单位

Department of Communications and Integrated Systems Tokyo Institute of Technology, Tokyo 152-8550-S3-57, Japan;

Department of Communications and Integrated Systems Tokyo Institute of Technology, Tokyo 152-8550-S3-57, Japan;

Department of Communications and Integrated Systems Tokyo Institute of Technology, Tokyo 152-8550-S3-57, Japan;

Department of Communications and Integrated Systems Tokyo Institute of Technology, Tokyo 152-8550-S3-57, Japan;

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收录信息
原文格式 PDF
正文语种 eng
中图分类
关键词
grid intersection graph; nanopla; orthogonal ray graph; subgraph isomorphism;

机译：网格相交图纳米塑料正交射线图子图同构;
入库时间 2022-08-18 00:37:09

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