顕微光学系によるLED用結晶の2波長励起フォトルミネッセンス評価

摘要

バンド端エネルギーより低エネルギーの励起（BGE）光で禁制帯内準位を選択励起し、バンド間励起（AGE）光で生じるフォトルミネッセンス強度を変調させて禁制帯内準位を評価することができる。顕微光学系を用いたこの手法により、MOCVD成長In_(0.15)Ga_(0.85)N/In_(0.02)Ga_(0.98)N量子井戸結晶の評価を行った。BGEエネルギーl.95eVで禁制帯内準位を検出し、そのAGE強度、BGE強度、温度依存性を測定した。障壁層、井戸層へのSiドープにより禁制帯内準位密度が低下、すなわち結晶性が改善する点が示された。%Quantitative characterization of nonradiative recombination centers becomes possible when adding the below-gap excitation (BGE) with an above-gap excitation (AGE), and observing the intensity change of photoluminescence due to the BGE: The BGE selects a specific pair of below-gap states and modulates a nonradiative recombination rate through them. We studied MOCVD-grown In_(0.15)Ga_(0.85)N/In_(0.02)Ga_(0.98)N quantum well structures by using a microscopic optical system, and detected below-gap states at the BGE energy of 1.95eV, including AGE intensity-, BGE intensity- and temperature-dependences. A moderate Si-doping in both barrier and well layers was shown to improve the crystal qual 1 ity.