顕微光学系によるLED用結晶の2波長励起フォトルミネッセンス評価

摘要

バンド端エネルギーより低エネルギーの励起(BGE)光で禁制帯内準位を選択励起し、バンド間励起(AGE)光で生じるフォトルミネッセンス強度を変調させて禁制帯内準位を評価することができる。顕微光学系を用いたこの手法により、MOCVD成長In_<0.15>Ga_<0.85>N/In_<0.02>Ga_<0.98>N量子井戸結晶の評価を行った。BGEエネルギー1.95eVで禁制帯内準位を検出し、そのAGE強度、BGE強度、温度依存性を測定した。 障壁層、井戸層へのSiドープにより禁制帯内準位密度が低下、すなわち結晶性が改善する点が示された。