サファイア基板上に有機金属気相成長（MOCVD）法を用いて成長したGaN上にタンタル（Ta）マスクを形成し，再度，MOCVD法でGaN成長を行うと，Taマスク下地層GaNに対して選択的なエッチングが起こり，空洞を形成することがわかった.金属の触媒作用の影響によって下地層GaNがエッチングされるという報告がある.また，下地層GaNのエッチングはTaマスクの膜厚に依存し，Ta蒸着後の試料表面に対してエネルギー分散型X線（EDX）分析を行うと，Taマスク領域から酸素が検出された.%Two step growth of GaN is performed, and the metal which is selectively sandwiched into GaN is formed. A GaN downward is etched away when Ta is selectively there. The mechanism is that TaN is formed at high temperature and separate into two, Ta and N2 gas. TaN is again formed, and the rest is in the same way. The usefulness of this technique is the use of the reflectance layer for the UV-LED which emits shorter than 370 nm.
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