ホイスラー合金を有する電流狭窄型CPP-GMR素子のバイアス電圧依存性

摘要

The effect of current screen layer on the bias voltage dependence of a magnetoresistive (MR) ratio was studied for a Heusler alloy-based current perpendicular-to-plane giant-magnetoresistive (CPP-GMR) sensor. The MR ratio was improved by using the current screen layer for the Heusler alloy based CPP-GMR sensor. In addition, the bias voltage dependence of the MR ratio was also improved. This improvement in bias voltage dependence appears to be due to the suppression of the magnetic moments fluctuation near a pinhole which reduces the spin-torque effect.%ホイスラー合金を用いたCPP-GMR素子に電流狭窄層を組み合わせたときのMR比，およびバイアス電圧依存性について検討した.電流狭窄層と組み合わせることにより，ホイスラー合金を用いたCPP-GMR素子のMR比は向上し，バイアス電圧の増加によるMR比の低下割合は減少した.これは，ピンホールを流れる電流によってその近傍の磁性層で発生するスピントルクによる磁気的な揺らぎが，周囲の磁性層によって効果的に抑制されたためであると考えられる.