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原子レベルでの半導体単結晶表面の湿式エッチング過程

机译:半导体单晶表面原子级的湿法刻蚀工艺

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摘要

Electrochemical etching processes of semiconductors have been investigated with atomic levels. Using electrochemical methods, it is possible to control chemical reactions at semiconductor surfaces more precisely than conventional chemical etching. It is expected that such techniques are important for preparation of ultra-flat surfaces and ultra-fine patterns.%半導体表面の原子レベルでの湿式エッチング過程を検討している。特に、半導体電極の電極電位を精密制御した上での電気化学エッチング過程は、化学エッチングに比べ、その反応の制御性は、非常に高い。超平坦面の製造、あるいは、原子レベルでの超微細加工を可能にするものと期待される。
机译:半导体的电化学蚀刻工艺已在原子水平上进行了研究,与传统的化学蚀刻相比,使用电化学方法可以更精确地控制半导体表面的化学反应,预计此类技术对于制备超平坦表面和超临界表面非常重要。精细图案。%我们正在研究在半导体表面原子级上的湿法蚀刻工艺。特别地,在其中精确地控制半导体电极的电极电势的电化学蚀刻工艺中,反应的可控性远高于化学蚀刻中的可控性。有望实现原子级的超平坦表面生产或超精细加工。

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