高RF出力InGaAs/InP p-i-n PD

摘要

We proposed a high-power RF InGaAs/InP p-i-n photodiode (PD) with a non-absorbing drift region for RF photonic links, and demonstrated a 3-dB bandwidth of 7 GHz, an RF power output of 29.0 dBm at 5 GHz, and a third order intercept point of 37 dBm at 5 GHz using a 70-um-diameter PD.%マイクロ波光伝送用のPDとして,大口径かつ低容量な高RF出力p-i-n PDを開発した.発熱密度を低減するためにPDの受光面積を拡大し,増加した素子容量を低減するために空乏層厚を最適化することで,受光径直径70仲mのPDで3dB帯域7G肋を得た.また,受光面積の拡大により200mA以上の大光電流を流すことが可能となり,周波数5GHzにおいてRF出力29.O dBmを得た.3次相互変調歪による出力インターセプトポイント（0IP3）は37d8mと良好な特性であった.