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【24h】

TSFZ法によるBi_2Sr_2Ca_2Cu_3O_(10)単結晶の育成と評価

机译:TSFZ法生长Bi_2Sr_2Ca_2Cu_3O_(10)单晶及其表征

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摘要

Although single crystals of Bi_2Sr_2Ca_2Cu_3O_(10)(Bi-2223) have been successfully grown using traveling solvent floating-zone (TSFZ) method in recent years, they have problems in crystal-size and purity. We performed crystal growth at very slow growth velocity 0.03mm/h with TSFZ. The obtained crystals are as large as 4×4 mm~2. X-ray diffraction pattern shows Bi-2223 peaks. After annealing samples under O_2 flow for 50 hours at 500℃, we measured the in-plane resistance R_(ab) and the c-axis resistance R_c. Every sample shows sharp transition and zero-resistance at 107K of superconductor transition temperature ,T_c ,of Bi-2223.%Bi_2Sr_2Ca_2Cu_3O_(10)(Bi-2223)は単結晶育成が難しく、近年、TSFZ法により結晶育成に成功したものの、結晶サイズや純度の点で課題が存在する。今回、TSFZ法を用いて育成速度0.03mm/hという非常に遅い速度で結晶育成を行った。得られた結晶は、a軸4mm、b軸2mmを持つ大型の結晶で、Bi-2223のXRDピークが得られていた。直流四端子法による抵抗測定を行った所、面内抵抗、C軸抵抗共にシャープな転移を示し、Bi-2223の超伝導転移温度T_cである107Kでゼロ抵抗を示した。
机译:尽管近年来通过移动溶剂浮区(TSFZ)方法成功地生长了Bi_2Sr_2Ca_2Cu_3O_(10)(Bi-2223)单晶,但它们在晶体尺寸和纯度方面存在问题,我们以非常缓慢的生长速度进行晶体生长TSFZ时为0.03mm / h,所得晶体大至4×4mm〜2.X射线衍射图谱显示Bi-2223峰,样品在O_2流下于500℃退火50小时后,测定平面电阻R_(ab)和c轴电阻R_c。每个样品在Bi-2223的超导体转变温度T_c的107K处都显示出急剧的转变和零电阻.Bi_2Sr_2Ca_2Cu_3O_(10)(Bi-2223)是单晶。尽管难以生长晶体,并且尽管近年来已经通过TSFZ法成功地生长了晶体,但是在晶体尺寸和纯度方面存在问题。这次,使用TSFZ方法以0.03 mm / h的非常慢的生长速率生长晶体。所获得的晶体是轴为4mm且ab轴为2mm的大晶体,并且获得Bi-2223的XRD峰。当通过直流四端子法测量电阻时,面内电阻和C轴电阻均显示急剧的转变,并且在Bi-2223、107K的超导转变温度T_c处显示为零电阻。

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