机译:InP多孔结构在p-n衬底上的形成和应用
Research Center for Integrated Quantum Electronics, Hokkaido University North 13 West 8, Kita-ku, Sapporo, 060-8628 Japan;
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electrochemical process; porous structure; indium phosphide; p-n junction;
机译:InP多孔结构在p-n衬底上的形成和应用
机译:InP多孔结构在p-n衬底上的形成和应用
机译:InP多孔结构在p-n衬底上的形成和应用
机译:在P-N衬底上形成的InP多孔结构的光电性能
机译:在电子和光子器件应用的硅基板上MOCVD生长的InP和相关薄膜。
机译:使用简单的基板倾斜方法在InP(111)B基板上自催化InP / InAs / InP一维纳米结构的拉曼光谱表征
机译:使用简单的基底倾斜法对INP(111)B衬底上的自催化INP / INAS / INP一维纳米结构的拉曼光谱特征
机译:通过受主注入到n型衬底中,在6H-siC中形成p-N结