AlN/sapphire 上のAlGaN のMOVPE 成長と電子線励起による深紫外発光

摘要

A high-quality AlGaN with high Al mole fraction is required for improvement of device performance such as light-emitting and light-detecting devices in short-wavelength region. In this study, we performed growth of AlGaN on epitaxial AlN(1μm)/sapphire (0001) as an underlying layer by low-pressure metalorganic vapor phase epitaxy with in-situ monitoring system. Typical full-widths at half-maximum (FWHMs) of x-ray rocking curves (XRC) for the (0002) and (10-12) diffractions of the AlGaN were 231 and 489 arcsec, respectively. We observed high-intensity chthodoluminescence in deep-vltraviolet wavelength region from the AlGaN of high crystaline quality.%発光素子，受光素子などの短波長化にともない高Alモル分率AlGaN の高品質化，発光効率の向上が求められている．本研究では，反射光を用いたその場観察を行いながら減圧 MOVPE 法により，サファイア上の AlN エビタキシヤル膜を下地結晶としてAlGaN の成長を行った．得られた AlGaN の（0002）回折，（10-12）回折のXRC-FWHM は231,489arcsec であり，高い結晶性を有していることが分かった．また電子線励起による光学特性評価では強い深紫外発光を観測した．