AlGaInAsレーザのESD耐性

摘要

This is a report on electrostatic discharge (ESD)-induced degradation of AlGalnAs/InP laser diodes. We found that the dominant ESD-induced degradation mechanism of AlGalnAs/InP buried heterostructure laser diodes was melting of an active layer by light absorption. We obtained sufficient ESD tolerance of higher than lkV by introduction of facet passivation.%高速変調・高温駆動に優れたAlGaInAsレーザでは、信頼性の重要な指標であるESD耐牲に関する報告がこれまでなかった。そこで今回我々は、AlGaInAsレーザのESD耐性を見積もり、1kVのESD試験での劣化率が約40%と、GaInAsPレーザの0%と比較して高いことが分かった。劣化機構を分析すると、端面の活性層での光吸収による溶解が劣化要因であることが分かった。GalnAsPレーザと比較して劣化率が高い理由は、Alを含む材料系のため活性層が酸化され易く、光吸収の要因となる非発光再結合準位が増加していることが推測された。そこでESD劣化を抑制するため、レーザ端面と端面コーティングの間に金属薄膜を挟むバッシベーションを行い、非発光再結合準位の低減を図った。その結果、1kVのESD試験での劣イヒ率が0%とESD劣イヒを抑制する結果を得た。