微細MOSデバイスのばらつき

摘要

In this presentation, various kinds of variability in MOS devices will be classified and reviewed. Then, among all these, "random fluctuation" will be discussed in detail, which is a kind of variability that exhibits no spatial correlation, and is rapidly increasing as FETs are scaled down. Current understanding of its root causes, and possible counter measures will be discussed. Finally, random telegraph noise (RTN), which is emerging as a new reliability concern, will be briefly covered.%本発表では、まず多岐にわたるMOSデバイスのばらつきの分類を試みる。次に、その中でも最近特に問題となっている「ランダムばらつき」について主に議論する。ランダムばらつきとは空間的に相関を持たないタイプのばらつきであって、デバイスの微細化にともなって急速に増加してきた。その原因についての最近の理解の状況と、ばらつきを減らすための方策について述べる。最後に、最近新たなばらつき問題として浮上しているRandom Tblegraph Noiseについても触れる。