Flash memories are used in many ways, because of the features of fast random access speed, power consumption, and resistance to physical shocks. In recent years, multilevel cell (MLC) flash memories that store multiple data bits in a memory cell are introduced for the high density integration. In MLC flash memories, the level of charge is apt to change to neighboring level by charge fluctuations. Especially, 1 level fluctuations are apt to occur extremely frequently. This paper proposes 1 level error correcting code suitable for MLC flash memories in order to control errors efficiently. The proposed method utilizes an asymmetric error locating code and a mapping derived from Gray codes. Evaluation shows that the code length of the proposed code is larger than that of conventional codes.%フラッシュメモリは，高速ランダムアクセス，低消費電力，耐衝撃性に優れる点などから様々な用途に用いられている．近年では，フラッシュメモリの高密度化のため，1セルに多値のデータを保持することができる多レベルセル（MLC）が使用されている．MLCは電荷のわずかなずれで，近傍のレベルに変動してしまう問題があり，中でも1レベルの変動が極めて多くなっている．そこで本研究では，MLCフラッシュメモリの効率的な符号化を目的として，1レベル誤りを訂正する符号を提案する．提案手法では，非対称誤りを効率的に訂正するため，Gray符号の特性を利用している．提案手法について符号長の評価を行い，従来手法より大きな情報長が得られることが示された．
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