多レベルセルフラッシュメモリのための1レベル誤り訂正符号

摘要

フラッシュメモリは，高速ランダムアクセス，低消費電力，耐衝撃性に優れる点などから様々な用途に用いられている．近年では，フラッシュメモリの高密度化のため，1セルに多値のデータを保持することができる多レベルセル（MLC）が使用されている．MLCは電荷のわずかなずれで，近傍のレベルに変動してしまう問題があり，中でも1レベルの変動が極めて多くなっている．そこで本研究では，MLCフラッシュメモリの効率的な符号化を目的として，1レベル誤りを訂正する符号を提案する．提案手法では，非対称誤りを効率的に訂正するため，Gray 符号の特性を利用している．提案手法について符号長の評価を行い，従来手法より大きな情報長が得られることが示された．