GaN自立基板を用いた縦型ダイオード

摘要

We report the fabrication of schottky barrier diode (SBD) on GaN free-standing substrate. SBDs showed good DC operating characteristics. The breakdown voltage and the specific on-resistance (R_(on)A) of the SBD without field plate structure on GaN free-standing substrate were 546 V and 2 m Ωcm~2, respectively. SBDs on GaN free-standing substrate were hardly influenced by the current collapse.%2インチn 型GaN自立基板上にMOCVD法を用いてGaNエピタキシャル成長した基板を使用し、縦型のショットキーバリアダイオード（SBD）を作成し特性評価を行った。使用したGaN自立基板の特性は、基板の厚さは400μm 、比抵抗は≦2×10~(-2)Ωcm である。エピタキシャル成長したn~-GaN の厚さは7μm、キャリア濃度は8×10~(15)cm~(-3)である。作成したフィールドプレート構造を持たないSBDのDC特性として、特性オン抵抗（R_(on)A）が2m Ωcm~2、オフ耐圧は546Vを得た。電流コラプスの影響もほとんど無く、温度特性も良好だった。