窒素添加ダイヤモンドからの電子放出特性とC-N結合の関係

摘要

尿素，ジメチル尿素という2種類の不純物源を用いて合成した窒素添加ダイヤモンドについて，飛行時間二次イオン質1分析（TOF-SIMS）と電界電子放出測定を行った．TOF-SJMSによると．尿素を不純物源として合成したサンプルがJLもC－N信号強度が強かった．また，電界電子放出測定については，Fowler-Nordheim（F-N）プロットのみならず．一定電流値を得るために必要な印加電圧について陽極陰極間距離ごとにプロットしたV-dプロットを用い電界増強因子βを評価した．その線象　C-N信号強度が最も強かったサンプルからの電界電子放出が最もβが大きかった．これにより，C-N借号強度が強いサンプルからより電界電子放出しやすいという結鰍こ至った．%Electron field emission measurement and Time-of-flight secondary ion mass spectroscopy (TOF-SIMS) were carried out on nitrogen (N-) doped diamond films of two different impurity sources; urea and dimethylurea. Urea doped diamond films exhibited the strongest signal intensity of C-N bonds according to the TOF-SIMS results. As for the field emission properties, the enhancement factor p was characterised not only by Fowler-Nordheim (F-N) plot, but also by V-d plot where the voltage required for a certain value of emission current to flow was plotted against each anode-cathode distance. The largest (3 was acquired from the diamond film with the most C-N counts, and therefore more C-N maybe the key to enhancing electron field emission from N-doped diamond.