ウェハ融着によるSi基板上1.3μm InAs／GaAs量子ドットレーザ

摘要

Ⅲ-Ⅴ semiconductor compounds light sources monolithically formed on Si substrates or waveguides would be promising for realization of photonic-electronic integrated circuits. Quantum dot (QD) lasers particularly has low lasing threshold current densities and high thermal stability Specifically quantum dot (QD) lasers yield low lasing threshold current and high temperature stability and therefore are suitable for high-density integration. We report the first demonstration of an electrically pumped QD laser on a Si substrate fabricated by wafer bonding. Our device has achieved RT lasing at 1.3 μm (> 1.0 μm) O-band for the first time as an electrically pumped QD laser on Si. Its lasing threshold current density was 360 A/cm~2, the lowest out of QD lasers on Si.%Ⅲ-Ⅴ化合物半導体光源をSi基板ないし導波路上に形成した一体型デバイスは、光電子集積回路の実現に有効である。特に量子ドット（QD）レーザは低い発振閾値、高い温度動作安定性を有することから高密度集積に適している。我々は今回、ウェハ融着によるSi基板上電流注入型QDレーザを初めて実現したので報告する。作製したレーザは、Si上電流注入型QDレーザとして初めて1．3μm（＞1.0μm）O-bandでの発振を達成し、また、閾値電流密度は360A/cm~2とSi上QDレーザとして最低値を得ている。