65nm CMOSプロセスを用いた偏光計測イメージセンサの設計・開発

摘要

To realize a miniaturization of sensor chip for μTAS, we propose a polarization analyzing image sensor as a function in μTAS using 65nm CMOS process for the first time. We describe the design details and characterization of our proposed CMOS image sensor. By the fabricated sensor, polarization characteristics are successfully measured.%CMOSプロセスのメタル配線層を利用したオンチップメタルグリッド偏光子を搭載した偏光計測イメージセンサにおいて，センササイズ小型化と画素ピッチ縮小による空間分解能向上を目指して，65nm標準CMOSプロセスを用いた偏光計測イメージセンサの設計・試作を行った．本報告では偏光計測イメージセンサの設計と，65nmプロセスにおける偏光検出について述べる．