ELO-AlN 上 AlGaN の微細構造観察

摘要

AlGaN-based ultraviolet light emitting device has been achieved as the high spec LED from UV-A to UV-C. It is widely expected to berncommercialized in the future. Currently UV LED is being fabricated on AlN template but formed AlGaN on the AlN template introduces the defect by the AlGaN compressive stress. After time, to achieve high efficiency UV LED further, we know exactly the behavior of this defect and it is very important to control it. In this study, to form a high-quality AlGaN on AlN prepared using ELO. We observed about the behavior of dislocations in this sample. In particular this study, we discussed in detail about the thickness dependence of AlGaN . Since there were differences in the dislocation to occur near the interface by the film thickness,and report its results .%AlGaN 系紫外発光素子は、UV-A からUV-C の全領域で数％を超える高性能LED が実現されつつあり、今後広く実用化することが期待されている。現在の紫外LED はAlN テンプレート上に作製されているが、その上に形成されたAlGaNには圧縮応力による欠陥が導入される。今後、さらなる紫外LED の高効率化を実現するためには、この欠陥の挙動を正確に把逢し、それを制御することが非常に重要である。本研究では、ELO を用いて作製した高品質AlN 上にAlGaN を形成し、その転位の挙動に関して観察した。特に本報告ではAlGaNの膜厚依存性に関して詳細に検討した。膜厚を厚くすることで界面付近に発生する転位に違いが見られたので、その結果について報告する。