細粒度アシストバイアス制御によるR/W動作マージン改善を図ったディペンダブルな低電圧SRAM

摘要

内蔵SRAMの読出しマージンと書込みマージンを改善する細粒度アシストバイアス制御技術について報告する。本提案では、メモリセルアレイを細分化し、個々に独立した最適アシストバイアスを与えることで下限動作電圧（V_(min)）の改善を図る090nmテクノロジを用いてIMb SRAMの設計試作を行い評価した結果、0．64V動作を確認し、従来よりもV_(min)が21％改善されることを実証した。%We present a fine-grained assist bias control technique for enhancing read-/write-margins of embedded SRAM in deep-submicron SoC. This technique controls the individual assist bias for finely segmented rows and columns of a cell array with small area overheads. We design and fabricate prototype micro-controller test chips with 1 Mb SRAM using 90-nm low-standby-power CMOS technology. The evaluation results demonstrate that Vmin achieves 0.64 V, which is a 21% improvement compared to the conventionally used technique.