表面再構成制御成長法で成長したSi（111）基板上のInSb MOSダイオードの作製

摘要

We have reported that high quality InSb films can be grown by surface reconstruction controlled epitaxy. In the growth, the growth of InSb film is carried out via InSb bilayer which is prepared by adsorption of In and Sb atoms onto a Si(lll) surface. Recently, we have demonstrated that the lum-thick InSb films with high electron mobility as high as 38,000 cm2/Vs at RT can be grown due to the optimization of growth conditions of 1st layer such as growth temperature, growth rate and thickness. Because this electron mobility is an average value in the sample, the region near the surface may indicate higher electron mobility. To check the thickness dependence of the electron mobility of the InSb film, we measured the in-depth profile of electrical properties. As a result, we found that the electron mobility near the surface was as high as 61,000 cm2/Vs. And we fabricated and characterized the Al_2O_3,/InSb-MOS diodes for realization of InSb MOSFET.%我々はこれまでに、Si（111）基板上に1原子層程度のb及びSb原子を吸着させることにより形成されるInSb単分子層を介して、高品質なhSb薄膜を2段階成長法により作製できることを報告してきた。最近、1層目の成長温度、蒸着レート、蒸着量といった成長条件を最適化することで、室温の電子移動度が約38，000cm~2/Vsという非常に高品質なInSb薄膜（膜厚1μm）を作製可能となった。この移動度は膜厚1μmの試料における平均であるため、試料表面付近では移動度がさらに高い可能性がある。そのため、移動度の膜厚依存性を調査した。その結果、試料表面付近では61，000cm~2/Vsという非常に高い電子移動度を持っていることが分かった。また、この高い電子移動度をもったInSb薄膜を用い、Si基板上のInSb MOSFET 実現性を調べることを目的として、Al_2O3／InSb MOSダイオードを作製し、その特性を調べた。