我々はこれまでに、Si（111）基板上に1原子層程度のIn及びSb原子を吸着させることにより形成されるInSb単分子層を介して、高品質なInSb薄膜を2段階成長法により作製できることを報告してきた。今回は、1層目の成長条件に着目し、成長温度、成長レート、蒸着量を最適化し、室温で約36，200cm~2/Vsという高い電子移動度を持ったInSb薄膜（膜厚1μm）を成長できたので報告する。%We have reported that high quality InSb films can be grown by surface reconstruction controlled epitaxy. In the growth, the growth of InSb film is carried out via InSb bilayer which is prepared by adsorption of In and Sb atoms onto a Si(111) surface. In this study, we optimized the growth condition such as growth temperature, growth rate and thickness of the first layer. We report the growth of high electron mobility InSb film with 36,200 cm2/Vs at RT on Si(111) substrate.
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