AlGaN量子井戸構造の内部量子効率

摘要

We analyzed the IQE of whole-composition-range AlGaN multi-quantum wells (MQWs) on AlGaN with various dislocation densities by excitation density dependent PL measurement. IQE with an excess carrier density of 1 × 10~(18) cm~(-3) changes from 4 to 64% when the dislocation density changes from 6 × 10~9 to 2 × 10~8 cm~(-2). This trend is almost the same for DUV/UV MQWs with emission wavelength ranging from 230 to 350 nm.%様々な転位密度の下地層上にAIGaN多重量子井戸（MQWs）を作製し、励起強度変化PL法による内部量子効率（IQE）の評価を行った。発光ピーク波長230nm、250nm、300nmの活性層において比較を行ったところ、全てのMQWにおいて、IQEと貫通転位密度の関係は、波長に寄らずほぼ同じ依存性を示した。