Ka 帯20W 出力AlGaN/GaN HEMT の開発

摘要

近年、通信用途としてKa帯 AlGaN/GaN デバイスの期待が高まってきている。今回われわれは動作周波数26GHz におけるAlGaN/GaNHEMT 高出力デバイスの開発をした。エビタキシヤル構造とゲート長について検討し、素子性能として最大発振周波数（fmax）138GHz を得た。また総ゲート幅6.4mm の電力素子に整合をとりVds＝30V において出力20W を小信号利得6.7dB、電力付加効率18.5％を得た。%AlGaN/GaN High Electron Mobility Transistors(HEMTs) were developed for Ka-band. The developed device showed 138 GHz of fmax, which depended on the thickness of the AlGaN barrier layer and the gate length. It had a 6.4mm gate periphery on a metal carrier plate. The output power achieved 20W with impedance matching circuits.