中性子起因SEMTの電源電圧及び基板バイアス依存性測定

摘要

本稿では，中性子起因一過性複数パルス(SEMT)の測定結果を示す.まずSEMT測定回路を提案し，65nmプロセスで試作したテストチップを用いてSEMTの電源電圧•基板バイアス依存性を評価する.測定結果から，同一ウェル内の6個の隣接したインパータで同時にパルスが発生しうること，一過性パルス(SET)に占めるSEMTの割合が，電源電圧0.7V,逆基板バイアス印加時に40%に達することを示す.また，SEMTの空間的な分布とソフトエラー有感領域間の距離の関係も議論する.最後に，一過性単ーパルス(SEST)と一過性単一反転(SESU)の発生確率から，SEMTの測定結果の妥当性を検証する.%This paper presents measurement results of neutron inauced single event multiple transients (SEMT). We devise an SEMT measurement circuit and evaluate the dependency of SEMT on supply and body voltages using test chips fabricated in a 65nm CMOS process. Measurement results show that transients can arise simultaneously at adjacent six inverters sharing the same well, and SEMT ratio to all the single event transients reaches 40% at 0.7V with reverse body biasing. We also investigate the correlation between the spatial spreading of SEMT and the distance between sensitive nodes in layout. Furthermore, referring to the occurrence rates of single event single transient (SEST) and single event single upset (SESU), we validate the measured results.