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p型型界面での電荷分離特性向上に向けた強誘電体分子超薄膜との界面形成

机译:与超薄铁电分子形成界面以改善p型/ n型界面的电荷分离特性

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摘要

The structural and electrical characteristics of CuPc/VDF oligomer/C_(60) were investigated. The switching current for CuPc/VDF oligomer/C_(60) exhibits double peaks in negative voltage. The molecular orientation of VDF oligomer film deposited on Al,C_(60) and CuPc, has been depended on film thickness of VDF oligomer. Regardless of substrates, the VDF oligomer grows with their molecular axes perpendicular to the substrate in the initial stage by the conventional method that forms the film with parallel orientation. In thickness of 20nm or more, the VDF oligomer molecules were parallel on normal oriented VDF oligomer films.%強誘電性有機分子、ビニリデン•フルオラィド.オリゴマー(VDFオリゴマー)をp型半導体(CuPc)とn型半導体(C_(60))の界面に挿入し、その電気特性を評価した。VDFオリゴマーの分極とp型、n型半導体間にはそれぞれ相互作用が生じ、複雑なJ-V特性を示した。有機薄膜太陽電池への応用を目指しVDFオリゴマーの超薄膜化を試みたが、従来基板に対して平行配向膜を得られていた条件においても界面近傍では基板に依らず垂直配向膜となった。垂直配向から平行配向へ変化する転移膜厚は約20nmと見積もられた。
机译:研究了CuPc / VDF低聚物/ C_(60)的结构和电学特性.CuPc / VDF低聚物/ C_(60)的开关电流在负电压下出现了双峰值.VDF低聚物膜沉积在Al,C_上的分子取向(60)和CuPc取决于VDF低聚物的膜厚,无论采用哪种基材,VDF低聚物在初始阶段均以分子轴垂直于基材的方式生长,这种常规方法形成具有平行取向的膜。在20nm以上时,VDF低聚物分子在垂直取向的VDF低聚物膜上平行。%铁电有机分子,偏二氟乙烯。低聚物(VDF低聚物)是p型半导体(CuPc)和n型半导体(C_(60) )并评估了电气特性。 VDF低聚物的极化以及p型和n型半导体之间的相互作用导致了复杂的J-V特性。我们试图使VDF低聚物超薄,以用于有机薄膜太阳能电池,但即使在常规基板获得平行取向膜的条件下,无论界面如何,它都成为界面附近的垂直取向膜。从垂直取向改变为平行取向的过渡膜厚度估计为约20nm。

著录项

  • 来源
    《電子情報通信学会技術研究報告》 |2012年第304期|55-59|共5页
  • 作者单位

    神戸大学工学研究科応用化学専攻 〒657-8501 神戸市灘区六甲台町1-1;

    神戸大学工学研究科応用化学専攻 〒657-8501 神戸市灘区六甲台町1-1;

    神戸大学工学研究科応用化学専攻 〒657-8501 神戸市灘区六甲台町1-1;

    神戸大学工学研究科応用化学専攻 〒657-8501 神戸市灘区六甲台町1-1;

    神戸大学工学研究科応用化学専攻 〒657-8501 神戸市灘区六甲台町1-1;

  • 收录信息
  • 原文格式 PDF
  • 正文语种 jpn
  • 中图分类
  • 关键词

    強誘電体; 半導体; 界面; 超薄膜; 配向制御;

    机译:铁电体;半导体;界面;超薄膜;取向控制;
  • 入库时间 2022-08-18 00:29:48

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