金属誘起結晶成長法によるSiC薄膜の低温結晶化の試み

摘要

Metal induced lateral crystallization (MILC) method was applied to amorphous SiC films grown by hot wire chemical vapor deposition. The vacuum evaporated Ag, Ni and Al films were used as a catalytic metal for MILC. The peak shift and decrease of FWHM at a Si-C stretching mode (〜800 cm~(-1)) of FTIR spectra were observed in the annealed SiC films with the Ag catalytic film at a lower annealing temperature compared with the annealed SiC films with no catalytic metal film. This result suggests that the temperature required for crystallization of the amorphous SiC film was reduced by MILC.%ホットワイヤーCVD法により作製したアモルファスSiC薄膜の表面にAg等の遷移金属薄膜を蒸着し、ァニールを施すことで、金属誘起結晶成長(MIC,MILC)法による薄膜の低温結晶化を試みた。その結果、Ag薄膜を堆積してァニールを施した場合は、Si-C結合に起因する800cm~(-1)付近の赤外吸収スぺクトルにおけるビークシフトおよび半値幅の減少が、Ag薄膜無しの場合に比べて低い温度のァニールで観測されることが分かり、MILCによるアモルファスSiC薄膜の結晶化温度の低温化が示唆された。