低エネルギー電子線照射を施したp型4H-SiCにおける再結合中心の評価

摘要

Silicon carbide (SiC) is a promising material for high power devices with low energy loss. However we have never completely understood crystal defects in SiC which influence on device performance, therefore we need to study for crystal defects. Although studies for deep-levels in p-type 4H-SiC have been reported, deep-levels acting as recombination centers have been seldom reported. In this work, we have measured deep-levels in (0001) Si face epitaxial p-type 4H-SiC layers with the current deep-level transient spectroscopy (I-DLTS) method. A part of the samples were irradiated by electrons in order to introduce defects. As a result, we found electron irradiation to p-type 4H-SiC would create complex defects behaving as recombination centers rather than the carbon vacancy.%SiCは大電力、低損失デバイス材料として期待されているが、デバイス性能に多大な影響を与える結晶欠陥を解明するには至っていない。よって結晶欠陥の評価が必要である。過去にp型4H-SiCへの深い準位の評価は数例報告されているものの、再結合中心として振る舞う深い準位についての報告はほとんどされていない。本研究では電子線照射により意図的に欠陥を導入したp型4H-SiC(0001)Si面ェピタキシャル試料を用いてCurrent Deep-level Transient Spectroscopyにより価電子帯付近の深い準位の評価を行った。その結果、電子線照射によって炭素空孔ゃ格子間原子による複合欠陥が形成され、再結合中心として振る舞う可能性があることがわかった。