埋め込みグート構造を有するガラス上の自己整合メタルダブルゲート低温poly-Si TFT

摘要

マルチゲート多結晶Si(poly-Si)薄膜トランジスタ（TFT)は近年注目を集め，盛んに研究されているテーマの1つである.本稿では埋め込みメタルゲートを有する自己整合メタルダブルゲート低温poly-Si TFTを 550℃のプロセス温度でガラス基板上に作製した結果について報告する.N-chTFTの見かけ上の移動度は530cm~2/Vsであり，s値は140mV/decであった.この特性はトップゲートn-ch低温poly-Si TFTに比べ優れた性能である.%A multigate polycrystalline-silicon (poly-Si) thin-film transistor (TFT) is one of the recent topics in the field of Si devices. In this study, self-aligned planar metal double-gate poly-Si TFTs consisting of an embedded bottom metal gate, top metal gate fabricated by a self-alignment process, and a lateral poly-Si film with a grain size of more than 2 μm, were fabricated on a glass substrate at 550℃. The nominal field-effect mobility of the n-channel TFT is 530 cm~2/Vs and its subthreshold slope is 140 mV/dec. The performance of the proposed TFTs is superior to that of top-gate TFTs fabricated using equivalent processes.