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複数のパルス信号を用いたサブハーモニツク注入同期発振器

机译:使用多个脉冲信号的次谐波注入锁定振荡器

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摘要

A locking range of sub-harmonic injection-locked oscillator is inversely proportional to the frequency ratio between injection signal and output signal, therefore the phase noise suppression becomes less effective when the frequency ratio is large. This paper proposes novel sub-harmonic injection-locked oscillator, which uses injection signal generated from multiple phase shifted reference signals. The proposed sub-harmonic injection-locked oscillator is demonstrated using SiGe-BiCMOS process, realizing low phase noise characteristics compared to the conventional circuit.%サブハーモニツク注入同期発振器において,注入信号と出力信号との周波数比が大きい場合,注入同期のロックレンジが狭くなり,位相雑音の抑圧量が低下するという問題がある.ここでは,周波数比が大きな場合にも低雑音特性が得られる方法として,基準信号から生成した複数の位相シフトパルスを合成し,注入同期発振器に注入する構成を提案する.SiGe-BiCMOSプロセスを用いて提案する注入同期発振器を試作し,評価した結果,提案する構成により,注入パルス数を増やすことで,従来に比べて位相雑音特性を改善できることを確認した.
机译:次谐波注入锁定振荡器的锁定范围与注入信号和输出信号之间的频率比成反比,因此,当频率比较大时,相位噪声抑制的效果将减弱。使用由多个相移参考信号产生的注入信号的振荡器。使用SiGe-BiCMOS工艺演示了拟议的次谐波注入锁定振荡器,与传统电路相比,实现了低相位噪声特性。当注入信号和输出信号的频率比大时,存在注入锁定的锁定范围变窄并且相位噪声的抑制量减小的问题。这里,作为即使在频率比大时也能获得低噪声特性的方法,我们提出了一种配置,该配置合成从参考信号生成的多个相移脉冲并将它们注入到注入锁定振荡器中。对所提出的采用SiGe-BiCMOS工艺的注入锁定振荡器进行了原型设计和评估,结果证实了所提出的配置可以通过增加注入脉冲数来改善相位噪声特性。

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