フォトン・リサイクリングGaN p~＋nダイオード

摘要

アクセプタ準位が深く，直接遷移型半導体であるGaNにおいても，フォトン・リサイクリング効果を活用することにより，アクセプタのイオン化率を向上させるとともに，伝導度変調を促進させた結果，温度依存性が小さく，低オン抵抗なp-nダイオードを実現できた。高速・高耐圧還流ダイオードなど，パワーエレクトロニクスへの応用が期待される。%Photon recycling was used to increase ionization of Mg in GaN p~+n diodes by reducing anode radius down to 20 μm. The resultant temperature-independent (273-373 K), low on-resistance is a promising characteristic for fast freewheeling diodes.