化合物半導体技術のエレクトロニクスへの展開

摘要

化合物半導体のエレクトロニクスにおける用途は発光デバイスと高周波デバイス，パワーデバイスが主である.化合物 半導体の多くは直接遷移形の半導体であり，電流注入で発光させることができる.一方，電子の飽和速度が大きいGaAs やInPなどの化合物半導体は，高速，高周波デバイスとして使用される.高周波用途の化合物半導体については，本特 集1-4の「ワイヤレスインターネット社会を支える高周波集積回路技術」の解説に譲り，本稿では，発光デバイスととも に，化合物半導体の中でワイドバンドギャップ半導体を用いるパワーデバイスについて，Siパワーデバイスと比較しな がら概説する.