制御信号と電力供給を光絶縁した高速・高耐圧パワーデバイス用共振形ドライブ回路

摘要

近年，電力変換器の小型化?大容量化を目的として，SiCrnやGaNなどの高速かつ高耐圧なパワーデバイスの開発が行rnわれている。高速なスイッチング動作では，電圧変化率rn（dv/dt）および電流変化率（（di/dt）が高く，サージ電圧·rnスパイク電流の発生や高周波漏れ電流，EMIなどの問題をrn引き起こすことがある。