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スィッチング電源におけるMOSFETのオン抵抗の周波数特性とパルス損失計算の研究

机译:开关电源中MOSFET导通电阻的频率特性及脉冲损耗计算研究

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摘要

スィッチング電源のMOSFETのォン抵抗の周波数依存性と,この依存性を考慮したパルス電流に対するオン期間 の損失につき検討した。rn(1)MOSFETのオン抵抗をLCRメータで実測し,低ォン抵抗の部品は顕著な周波数依存性を持つことを示した。
机译:考虑到这种依赖性,我们检查了开关电源的MOSFET的导通电阻的频率依赖性以及导通时间期间相对于脉冲电流的损耗。用LCR表测量了rn(1)MOSFET的导通电阻,结果表明,低导通电阻成分具有明显的频率依赖性。

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