FDTD電磁界·半導体デバイス統合解析によるミリ波表面波モード線路増幅モジュールの実動作解析

摘要

Direct analysis for a millimeterwave amplifier module has been demonstrated by using FDTD electromagnetic and semiconductor device co-simulation technique. The millimeterwave amplifier module consists of an HFET and planar dielectric transmission lines (PDTL) at 60-GHz region. The PDTL with a surface wave transmission mode has a low-loss transmission characteristic at millimeterwave region using a low-loss ceramic substrate. However, the transmission wave on the PDTL tends to be scattered by irregular structures and impedance mismatching. Furthermore, it is predicted that reflected scattered waves at edges of the substrate interfere with incident and transmission waves on the PDTL. Using the co-simulation technique, influence of the scattering waves was investigated in detail for the amplifier module.%近年の移動体無線システムでは，情報伝送の高速·大容rn量化に伴い，各種高周波コンポーネントに対して広帯域かrnつ遮断特性の優れた特性が要求され，従来の設計指針であrnる，各々のモジュールを50 Ω系で設計して接続するというrn方法では所望の特性が得られない場合が生じつつある。さrnらにシステムの小型化により，アナログ信号とデジタル信rn号が混在した1つの基板上に各モジュールが密集して存在rnし，信号の相互干渉の影響を考慮しつつ設計を行う必要性rnが生じている。