...
机译:用于快速材料分析的Ga / sub 1-x / Al / sub x / As-GaAs异质结双极晶体管的制造
机译:Al_xGa_(1-x)As梯度层厚度不同的InGaP-Al_xGa_(1-x)As-GaAs复合发射极异质结双极晶体管的综合研究
机译:分析发射极/基极异质结处具有渐变Al_xGa_(1-x)As层的InGaP / GaAs异质结双极晶体管的改进的dc和ac性能
机译:通过分析近乎理想的Si / Si / sub 1-x / Ge / sub x // Si异质结双极晶体管,Si / sub 1-x / Ge / sub x /的带隙和传输特性
机译:在发射极/基极异质结处具有渐变Al_xGa_(1-x)As层的InGaP / GaAs异质结双极晶体管的改进的DC和AC性能分析
机译:基于N沟道InGaAsP-InP的倒置通道技术器件(ICT)的设计,制造和表征,用于光电集成电路(OEIC):双异质结光电开关(DOES),异质结场效应晶体管(HFET),双极倒置沟道场-效应晶体管(BICFET)和双极型反向沟道光电晶体管(BICPT)。
机译:利用液态金属互连和蜂蜜制成的电解栅极介电层快速制造石墨烯场效应晶体管
机译:异结双极晶体管:具有高电流扩增的2D基于材料的垂直双相杂交双极晶体管(ADV。电子。Matter。3/2019)
机译:al(x)Ga(1-x)as / Gaas异质结双极晶体管的掺杂效应和成分分级