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机译:作为先进的CMOS栅极电极的多晶硅膜的前驱体,乙硅烷的制造优势
Disilane; Gate electrode; Polysilicon deposition; Rapid thermal chemical vapor deposition (RTCVD);
机译:使用乙硅烷的热线电池法高速沉积多晶硅薄膜
机译:通过使用多晶硅锗锗栅电极有效抑制多晶硅/高k栅堆叠中的费米能级钉扎
机译:先进SLS ELA多晶硅膜中制造的双栅极TFT的特性
机译:在65NM CMOS工艺中使用二硅烷前体增强多晶硅工艺的可制造性
机译:金属有机化学气相沉积和原子层沉积方法,用于从二烷基酰胺前体中生长ha基薄膜,用于高级CMOS栅极堆叠应用
机译:CMOS读数阵列上的多晶酰胺碘化物薄膜
机译:用于CMOS应用的具有多晶硅栅电极的MOCVD HfO2介电层的电性能
机译:冶金硅衬底上的硅薄膜 - 阶段II。专题报告第3号。薄膜多晶硅太阳能电池的稳定性