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机译:当使用高能离子时,目标物理特性如何影响薄体半导体掺杂:基于模型的分析
Tyndall National Institute, University College Cork, Cork, Ireland;
Field effect transistors (FETs); III-V semiconductor materials; Semiconductor device doping; Semiconductors; field effect transistors (FETs); germanium; semiconductor device doping; silicon;
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