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机译:线宽对后端介电TDDB的影响以及在全芯片寿命分析中并入线宽效应
, Intel Corporation, Hillsboro, OR, USA;
Computational modeling; Dielectrics; Electric breakdown; Electric fields; Shape; Silicon; Weibull distribution; Dielectric breakdown; integrated circuit reliability;
机译:确定线宽变化对芯片级铜/低κ后端介电击穿的影响的方法
机译:后端电介质击穿对线宽和图案密度的依赖性
机译:发射-吸收线宽比大的透射光谱分析:有限激光线宽的差分吸收激光雷达分析的扩展
机译:线宽变化对低k介电击穿的影响分析
机译:在损伤模型中纳入非线性状态方程,以对脆性材料进行高速冲击分析。
机译:全介电滤色器具有超窄线宽
机译:后端Low-k TDDB芯片可靠性模拟器
机译:铅掺入对液相外延生长钇铁石榴石铁磁共振线宽的影响。