机译:改进的K-均值聚类分析通过光发射光谱增强电介质刻蚀终点检测的灵敏度
SKKU Advanced Institute of Nanotechnology, Sungkyunkwan University, Suwon, South Korea;
Semiconductor Research and Development Center, Samsung Electronics, Hwaseong, South Korea;
YE Team, Samsung Electronics, Hwaseong, South Korea;
Department of Chemical Engineering, Ajou University, Suwon, South Korea;
SKKU Advanced Institute of Nanotechnology, Sungkyunkwan University, Suwon, South Korea;
Etching; Stimulated emission; Plasmas; Optical sensors; Sensitivity; Real-time systems; Algorithm design and analysis;
机译:改进高斯混合模型SiO2等离子体蚀刻终点检测的灵敏度增强
机译:等离子体刻蚀中基于修正主成分分析的等离子体刻蚀中小面积暴露SiO_2薄膜的实时终点检测
机译:使用整个光发射光谱的多方向主成分分析,用于金属蚀刻过程的终点检测
机译:用于HBR / HE血浆的GE_2SB_2TE_5蚀刻端点检测的光发射光谱分析
机译:实验测量和建模,以了解电感耦合等离子体发射光谱法中的灵敏度和等离子体样品的负载量。
机译:等离子刻蚀过程中用光发射光谱仪进行早期故障检测的相似率分析
机译:等离子体刻蚀过程中光学发射光谱仪早期故障检测的相似比分析。